Samsung обяви първата свръхбърза UFS 5.0 памет със скорост до 10.8 GB/s – nixanbal
Новото решение е създадено специално за ерата на изкуствения интелект и обещава да трансформира начина, по който устройствата ни обработват данни локално.
Samsung направи следващата голяма стъпка в еволюцията на мобилните технологии, представяйки първата и най-бърза в индустрията UFS 5.0 памет.
Със старта на масовото производство, планиран за последното тримесечие на 2026 г., се очаква технологията да дебютира в следващото поколение флагмани. Потенциално първият голям модел с нея може да бъде серията Galaxy S27 в началото на 2027 г., но чиповете ще намерят приложение и в различни други устройства, включително XR очила, таблети и автомобилни системи.
Капацитетът на новата памет ще достига до 1 TB.
Скоростите, които UFS 5.0 предлага, са впечатляващи и бележат огромен скок спрямо предходното поколение. Новата памет достига скорост на последователно четене до 10.8 GB/s и на последователен запис до 9.5 GB/s. Това означава, че производителността е повече от удвоена в сравнение с досегашния стандарт UFS 4.1, който предлагаше около 4.3 GB/s. Този масивен трансферен капацитет ще доведе до мигновено стартиране на тежки приложения и светкавично прехвърляне на огромни файлове, като десетки гигабайти 4K или 8K видео.
Най-важната роля на UFS 5.0 обаче е свързана с локалната обработка на изкуствен интелект – т.нар. on-device AI. За да работят гладко сложните езикови модели и генеративният AI директно на смартфона, без да разчитат на облака, огромни масиви от данни трябва да бъдат прехвърляни към RAM паметта и процесора за части от секундата. Новата архитектура решава именно този проблем, осигурявайки нужния широк канал за комуникация. По този начин потребителите ще получат по-бързи, по-сигурни и много по-интелигентни функции, които се случват изцяло на тяхното устройство.
Освен висока скорост, Samsung са обърнали сериозно внимание на енергийната ефективност и физическите размери. UFS 5.0 е с 40% по-ефективна от UFS 4.1 благодарение на нови технологии за управление на напрежението, което на практика означава по-малък разход на батерия при интензивен трансфер на данни.
В същото време самият чип е с размери 7.5 x 13 x 0.9 мм – с 16.7% по-компактен от предшественика си. Този по-малък отпечатък ще даде на производителите повече ценно пространство във вътрешността на устройствата, което може да бъде използвано за по-големи батерии, по-добро охлаждане или допълнителен хардуер.
Post Comment